簡要描述:半導(dǎo)體高低溫測試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降的典型應(yīng)用:適合元器件測試用設(shè)備,在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測試和其他環(huán)境測試模擬。
品牌 | LNEYA/無錫冠亞 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,能源,電子,汽車,電氣 |
適合元器件測試用設(shè)備
在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測試和其他環(huán)境測試模擬。
無錫冠亞積探索和研究元件測試系統(tǒng),主要用于半導(dǎo)體測試中的溫度測試模擬,具有寬溫度定向和高溫升降,溫度范圍-92℃~250℃,適合各種測試要求,解決了電子元器件中溫度控制滯后的問題,超高溫冷卻技術(shù)可以直接從300℃冷卻。該產(chǎn)品適用于電子元器件的精確溫度控制需求。
無錫冠亞元器件高低溫測試機(jī)在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測試階段包括在溫度(-85℃至+ 250℃)下的電子冷熱測試和其他環(huán)境測試模擬。這些半導(dǎo)體器件和電子產(chǎn)品一旦投入實(shí)際應(yīng)用,就可以暴露在端環(huán)境條件下,滿足苛刻的軍事和電信可靠性標(biāo)準(zhǔn)。
半導(dǎo)體高低溫測試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降
半導(dǎo)體高低溫測試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電路的集成化程度日益提高,芯片的熱負(fù)荷也不斷增大,使得單位體積容納的熱量也越來越多,特別是有些在惡劣環(huán)境下使用的軍用電子產(chǎn)品要求其必須是全封閉的,散熱環(huán)境更差,較高的工作環(huán)境溫度使得產(chǎn)品性能急劇惡化,可靠性降低,故障率大大增加,因此電子設(shè)備的熱設(shè)計在整個產(chǎn)品設(shè)計中占有越來越重要的地位。據(jù)有關(guān)資料顯示,對于包括CPU在內(nèi)的電子設(shè)備,現(xiàn)在的失效問題,一半是由于過熱而引起的。
在小的尺寸上布置了為數(shù)眾多的元件,雖然每個重要因素就是元器件的工作溫度,器件溫度在水平上每增加,其可元件的功率很小,但高集成度使熱流密度。在電子產(chǎn)品中,影響其可靠性的靠性將下降。因此,微電子器件的冷卻已成為重要的研究課題。
電子設(shè)備的熱設(shè)計在整個產(chǎn)品的設(shè)計中占有越來越重要的地位,要在系統(tǒng)的設(shè)計過程考慮采用有效的冷卻技術(shù),及時把元器件的發(fā)熱量帶走,降低器件的工作溫度,提高器件工作的可靠性。
半導(dǎo)體高低溫測試?yán)渌畽C(jī)也就是溫差制冷,現(xiàn)代發(fā)展起來的人工制冷新技術(shù),制冷的基礎(chǔ)是溫差電現(xiàn)象。把N型和P型兩個半導(dǎo)體兩個溫差電元件聯(lián)接結(jié)成熱電偶對,并通以直流電流時,在電偶對接頭處便會出現(xiàn)溫差和能量的轉(zhuǎn)移,在上邊的一個接頭處,電流方向是NP,溫度下降并且吸熱,成為冷端。而在下邊的一個接頭處,電流方向PN,溫度上升并且放熱,成為熱端。這就是半導(dǎo)體制冷的基本機(jī)理。