芯片在封裝完畢后，可能存在潛在缺陷，這些會導(dǎo)致芯片性能不穩(wěn)定或者功能上存在潛在缺陷，如果這些存在潛在缺陷的芯片被用在關(guān)鍵設(shè)備上，有可能發(fā)生故障，造成用戶損失或者危險。而老化試驗的目的就是在一定時間內(nèi)，把芯片置于一定的溫度下，再施于特定的電壓，加速芯片老化，使芯片可靠性提前度過早期失效期，直接到達(dá)偶然失效期（故障偶發(fā)期），保證了交到顧客手中的芯片工作性能的穩(wěn)定性和可靠性。

　　芯片測試不僅僅是“挑剔"“嚴(yán)苛"就可以，還需要全流程的控制與參與。從芯片設(shè)計、芯片開啟驗證、芯片流片到進(jìn)入量產(chǎn)階段測試，每個階段都需要解決相應(yīng)的訴求，解決如何持續(xù)的優(yōu)化流程，提升程序效率，縮減時間，降低成本等問題。量產(chǎn)階段測試尤為重要，所以說芯片測試不僅僅是成本的問題，而是平衡質(zhì)量、效率的與成本的關(guān)鍵，當(dāng)然除了芯片的老化試驗，其他的可靠性測試也十分重要。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測試系統(tǒng)應(yīng)用于芯片的失效分析、特性分析，可以進(jìn)行帶夾具的測試，為芯片測試提供更廣泛的溫度范圍，提供了溫度轉(zhuǎn)換測試能力。高低溫沖擊測試系統(tǒng)同時能應(yīng)用于高低溫溫變測試、溫度沖擊測試等可靠性試驗，經(jīng)長期的多工況驗證，滿足各類生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測試系統(tǒng)主要用于半導(dǎo)體測試中的溫度測試模擬，具有寬的溫度方向和高溫升降，溫度范圍-92℃~250℃，適用于各種測試要求。適用于電子元件的準(zhǔn)確溫度控制。在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子組件制造中，IC封裝組裝、工程和生產(chǎn)測試階段包括電子熱測試和其他溫度（-45℃至+250℃）下的環(huán)境測試模擬。